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        FR-Mic:全自動(dòng)帶顯微鏡多點(diǎn)測(cè)量膜厚儀

        簡(jiǎn)要描述:硬化涂層膜厚儀是一款快速、準(zhǔn)確測(cè)量薄膜表征應(yīng)用的模塊化解決方案,要求的光斑尺寸小到幾個(gè)微米,如微圖案表面,粗糙表面及許多其他表面。

        • 產(chǎn)品型號(hào):
        • 廠商性質(zhì):代理商
        • 產(chǎn)品資料:
        • 更新時(shí)間:2024-11-09
        • 訪  問(wèn)  量: 1067

        詳細(xì)介紹

        硬化涂層膜厚儀是一款快 速、準(zhǔn)確測(cè)量薄膜表征應(yīng)用的模塊化解決方案,要求的光斑尺寸小到幾個(gè)微米,如微圖案表面,粗糙表面及許多其他表面。它可以配備一臺(tái)計(jì)算機(jī)控 制的XY工作臺(tái),使其快 速、方便和準(zhǔn)確地描繪樣品的厚度和光學(xué)特性圖。品牌屬于Thetametrisis。

        Thetametrisis利用 FR-Mic,通過(guò)紫外/ 可見(jiàn)/ 近紅外可輕易對(duì)局部區(qū)域薄膜厚度,厚度映射,光學(xué)常數(shù),反射率,折射率及消光系數(shù)進(jìn)行測(cè)量。

        【相關(guān)應(yīng)用】

        1.高校 & 研究所實(shí)驗(yàn)室

        2.半導(dǎo)體制造

        3.(氧化物/氮化物, 硅膜, 光刻膠及其他半導(dǎo)體薄膜.)

        4.MEMS 器件 (光刻膠, 硅膜等.)

        5.LEDs, VCSELs

        6.數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

        7.陽(yáng)極處理

        8.曲面基底的硬鍍及軟鍍

        9.聚合物膜層, 粘合劑

        10.生物醫(yī)學(xué)(聚對(duì)二甲苯, 生 物膜/氣泡壁厚度.)

        11.還有許多…

        Thetametrisis膜厚儀特點(diǎn)】

        1、實(shí)時(shí)光譜測(cè)量

        2、薄膜厚度,光學(xué)特性,非均勻性測(cè)量, 厚度映射

        3、使用集成的,USB連接高品質(zhì)彩色攝像機(jī)進(jìn)行成像



        Thetametrisis膜厚儀產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】

        1、單擊即可分析 (無(wú)需初始預(yù)測(cè))

        2、動(dòng)態(tài)測(cè)量

        3、包含光學(xué)參數(shù) (n & k, color)

        4、可保存測(cè)量演示視頻錄像

        5、超過(guò) 600 種不同材料o 多個(gè)離線(xiàn)分析配套裝置o 免費(fèi)操作軟件升級(jí)

        【技術(shù)參數(shù)】

        *測(cè)量面積(收集反射或透射信號(hào)的面積)與顯微鏡物鏡和 FR-uProbe 的孔徑大小有關(guān)

        型號(hào)

        UV/VIS

        UV/NIR-EXT

        UV/NIR-HR

        DUV/NIR

        VIS/NIR

        DVIS/NIR

        NIR

        光譜波長(zhǎng)范圍(nm)

        200–850

        200–1020

        200-1100

        200–1700

        370–1020

        370–1700

        900–1700

        光譜儀像素

        3648

        3648

        3648

        3648&512

        3648

        3648&512

        512




        膜厚測(cè)量范圍

        5X-VIS/NIR

        15nm–60μm

        15nm–70μm

        15nm–90μm

        15nm–150μm

        15nm–90μm

        15nm–150μm

        100nm–150μm

        10X-VIS/NIR

        10X-UV/NIR*

        4nm–50μm

        4nm–60μm

        4nm–80μm

        4nm–130μm

        15nm–80μm

        15nm–130μm

        100nm–130μm

        15X-UV/NIR*

        4nm–40μm

        4nm–50μm

        4nm–50μm

        4nm–120μm

        20X-VIS/NIR

        20X-UV/NIR*

        4nm–25μm

        4nm–30μm

        4nm–30μm

        4nm–50μm

        15nm–30μm

        15nm–50μm

        100nm–50μm

        40X-UV/NIR*

        4nm–4μm

        4nm–4μm

        4nm–5μm

        4nm–6μm

        50X-VIS/NIR

        15nm–5μm

        15nm–5μm

        100nm–5μm

        測(cè)量n&k蕞小厚度

        50nm

        50nm

        50nm

        50nm

        100nm

        100nm

        500nm

        光源

        氘燈&鹵素?zé)?internal)

        鹵素?zé)?internal)

        材料數(shù)據(jù)庫(kù)

        >600不同材料








        物鏡

        光斑尺寸(μm)


        500μm孔徑

        250μm孔徑

        100μm孔徑

        5x

        100μm

        50μm

        20μm

        10x

        50μm

        25μm

        10μm

        20x

        25μm

        17μm

        5μm

        50x

        10μm

        5μm

        2μm














        【工作原理】


        *規(guī)格如有更改,恕不另行通知, 測(cè)量結(jié)果與校準(zhǔn)的光譜橢偏儀和 XRD 相比較, 連續(xù) 15 天測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)方差平均值。樣品:1um SiO2 on Si., 100 次厚度測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)方差,樣品:1um SiO2 on Si.

        *超過(guò) 15 天的標(biāo)準(zhǔn)偏差日平均值樣品:1um SiO2 on Si。

        以上資料來(lái)自Thetametrisis,如果有需要更加詳細(xì)的信息,請(qǐng)聯(lián)系我們獲取。







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